Skip to content

NEXPERIAPMDPB95XNE2XTransistor: N-MOSFET x2

Case DFN2020-6Drain current 1.7ADrain-source voltage 30VGate charge 4.5nC
Mã nhà sản xuất
PMDPB95XNE2X
Thương hiệu
Mã kho
PMDPB95XNE2X
Liên hệ
📩 Liên hệ để có giá tốt: [email protected]

Transistor: N-MOSFET x2; Trench; unipolar; 30V; 1.7A; Idm: 11A; ESD

THÔNG SỐ KỸ THUẬT
Manufacturer NEXPERIA
Manufacturer Part No. PMDPB95XNE2X
Type of transistor N-MOSFET x2
Technology Trench
Polarisation unipolar
Drain-source voltage 30V
Drain current 1.7A
Pulsed drain current 11A
Case DFN2020-6, HUSON6, SOT1118
Gate-source voltage ±12V
On-state resistance 0.17Ω
Mounting SMD
Gate charge 4.5nC
Kind of package reel, tape
Kind of channel enhancement
Version ESD
Gross weight 0.1 g

Tài liệu: Documentation EN · Product family

Giá: Liên hệ – gửi mã và số lượng về [email protected] để nhận báo giá nhanh.

Compare products

Select 2 or 3 items to compare

Select first item to compare

Select second item to compare

Select third item to compare

Compare