Skip to content

NEXPERIAPMDT290UCE,115Transistor: N/P-MOSFET

Case SOT666Drain current 500/-350mADrain-source voltage 20/-20VGate charge 0.68/1.14nC
Mã nhà sản xuất
PMDT290UCE,115
Thương hiệu
Mã kho
PMDT290UCE.115
Liên hệ
📩 Liên hệ để có giá tốt: [email protected]

Transistor: N/P-MOSFET; Trench; unipolar; 20/-20V; 500/-350mA; PMDT290UCE.115

THÔNG SỐ KỸ THUẬT
Manufacturer NEXPERIA
Manufacturer Part No. PMDT290UCE,115
Type of transistor N/P-MOSFET
Technology Trench
Polarisation unipolar
Drain-source voltage 20/-20V
Drain current 500/-350mA
Pulsed drain current -2.2...3.2A
Power dissipation 0.5W
Case SOT666
Gate-source voltage ±8/±8V
On-state resistance 610mΩ/1.4Ω
Mounting SMD
Gate charge 0.68/1.14nC
Kind of package reel, tape
Kind of channel enhancement
Gross weight 0.1 g

Tài liệu: Documentation EN · Product family

Giá: Liên hệ – gửi mã và số lượng về [email protected] để nhận báo giá nhanh.

Compare products

Select 2 or 3 items to compare

Select first item to compare

Select second item to compare

Select third item to compare

Compare