Skip to content

NEXPERIAPMDXB1200UPEZTransistor: P-MOSFET x2

Case DFN1010B-6Drain current -0.26ADrain-source voltage -30VGate charge 1.2nC
Mã nhà sản xuất
PMDXB1200UPEZ
Thương hiệu
Mã kho
PMDXB1200UPEZ
Liên hệ
📩 Liên hệ để có giá tốt: CV@chanhvinh.com

Transistor: P-MOSFET x2; Trench; unipolar; -30V; -260mA; Idm: -1.7A

THÔNG SỐ KỸ THUẬT
Manufacturer NEXPERIA
Manufacturer Part No. PMDXB1200UPEZ
Type of transistor P-MOSFET x2
Technology Trench
Polarisation unipolar
Drain-source voltage -30V
Drain current -0.26A
Pulsed drain current -1.7A
Case DFN1010B-6, SOT1216
Gate-source voltage ±8V
On-state resistance 2.4Ω
Mounting SMD
Gate charge 1.2nC
Kind of package reel, tape
Kind of channel enhancement
Version ESD
Gross weight 0.1 g

Tài liệu: Documentation EN · Product family

Giá: Liên hệ – gửi mã và số lượng về CV@chanhvinh.com để nhận báo giá nhanh.

Compare products

Select 2 or 3 items to compare

Select first item to compare

Select second item to compare

Select third item to compare

Compare