Skip to content

NEXPERIAPMDXB550UNEZTransistor: N-MOSFET x2

Case DFN1010B-6Drain current 0.37ADrain-source voltage 30VGate charge 1.05nC
Mã nhà sản xuất
PMDXB550UNEZ
Thương hiệu
Mã kho
PMDXB550UNEZ
Liên hệ
📩 Liên hệ để có giá tốt: [email protected]

Transistor: N-MOSFET x2; Trench; unipolar; 30V; 370mA; Idm: 2.3A

THÔNG SỐ KỸ THUẬT
Manufacturer NEXPERIA
Manufacturer Part No. PMDXB550UNEZ
Type of transistor N-MOSFET x2
Technology Trench
Polarisation unipolar
Drain-source voltage 30V
Drain current 0.37A
Pulsed drain current 2.3A
Case DFN1010B-6, SOT1216
Gate-source voltage ±8V
On-state resistance 1.17Ω
Mounting SMD
Gate charge 1.05nC
Kind of package reel, tape
Kind of channel enhancement
Version ESD
Gross weight 0.1 g

Tài liệu: Documentation EN · Product family

Giá: Liên hệ – gửi mã và số lượng về [email protected] để nhận báo giá nhanh.

Compare products

Select 2 or 3 items to compare

Select first item to compare

Select second item to compare

Select third item to compare

Compare