Skip to content

NEXPERIAPMPB100XPEAXTransistor: P-MOSFET

Case DFN2020MD-6Drain current -2ADrain-source voltage -20VGate charge 5nC
Mã nhà sản xuất
PMPB100XPEAX
Thương hiệu
Mã kho
PMPB100XPEAX
Liên hệ
📩 Liên hệ để có giá tốt: CV@chanhvinh.com

Transistor: P-MOSFET; Trench; unipolar; -20V; -2A; Idm: -13A; ESD

THÔNG SỐ KỸ THUẬT
Manufacturer NEXPERIA
Manufacturer Part No. PMPB100XPEAX
Type of transistor P-MOSFET
Technology Trench
Polarisation unipolar
Drain-source voltage -20V
Drain current -2A
Pulsed drain current -13A
Case DFN2020MD-6, SOT1220
Gate-source voltage -12...8V
On-state resistance 191mΩ
Mounting SMD
Gate charge 5nC
Kind of package reel, tape
Kind of channel enhancement
Version ESD
Gross weight 0.1 g

Tài liệu: Documentation EN · Product family

Giá: Liên hệ – gửi mã và số lượng về CV@chanhvinh.com để nhận báo giá nhanh.

Compare products

Select 2 or 3 items to compare

Select first item to compare

Select second item to compare

Select third item to compare

Compare