Skip to content

NEXPERIAPMPB10XNEZTransistor: N-MOSFET

Case DFN2020MD-6Drain current 5.7ADrain-source voltage 20VGate charge 34nC
Mã nhà sản xuất
PMPB10XNEZ
Thương hiệu
Mã kho
PMPB10XNEZ
Liên hệ
📩 Liên hệ để có giá tốt: CV@chanhvinh.com

Transistor: N-MOSFET; Trench; unipolar; 20V; 5.7A; Idm: 36A; ESD

THÔNG SỐ KỸ THUẬT
Manufacturer NEXPERIA
Manufacturer Part No. PMPB10XNEZ
Type of transistor N-MOSFET
Technology Trench
Polarisation unipolar
Drain-source voltage 20V
Drain current 5.7A
Pulsed drain current 36A
Case DFN2020MD-6, SOT1220
Gate-source voltage ±12V
On-state resistance 21mΩ
Mounting SMD
Gate charge 34nC
Kind of package reel, tape
Kind of channel enhancement
Version ESD
Gross weight 0.1 g

Tài liệu: Documentation EN · Product family

Giá: Liên hệ – gửi mã và số lượng về CV@chanhvinh.com để nhận báo giá nhanh.

Compare products

Select 2 or 3 items to compare

Select first item to compare

Select second item to compare

Select third item to compare

Compare