Skip to content

NEXPERIAPMPB19XP,115Transistor: P-MOSFET

Case DFN2020MD-6Drain current -4.5ADrain-source voltage -20VGate charge 43.2nC
Mã nhà sản xuất
PMPB19XP,115
Thương hiệu
Mã kho
PMPB19XP.115
Liên hệ
📩 Liên hệ để có giá tốt: [email protected]

Transistor: P-MOSFET; Trench; unipolar; -20V; -4.5A; Idm: -30A; ESD; PMPB19XP.115

THÔNG SỐ KỸ THUẬT
Manufacturer NEXPERIA
Manufacturer Part No. PMPB19XP,115
Type of transistor P-MOSFET
Technology Trench
Polarisation unipolar
Drain-source voltage -20V
Drain current -4.5A
Pulsed drain current -30A
Case DFN2020MD-6, SOT1220
Gate-source voltage ±12V
On-state resistance 33mΩ
Mounting SMD
Gate charge 43.2nC
Kind of package reel, tape
Kind of channel enhancement
Version ESD
Gross weight 0.1 g

Tài liệu: Documentation EN · Product family

Giá: Liên hệ – gửi mã và số lượng về [email protected] để nhận báo giá nhanh.

Compare products

Select 2 or 3 items to compare

Select first item to compare

Select second item to compare

Select third item to compare

Compare