Skip to content

NEXPERIAPMPB215ENEA/FXTransistor: N-MOSFET

Case DFN2020MD-6Drain current 1.2ADrain-source voltage 80VGate charge 7.2nC
Mã nhà sản xuất
PMPB215ENEA/FX
Thương hiệu
Mã kho
PMPB215ENEA_FX
Liên hệ
📩 Liên hệ để có giá tốt: [email protected]

Transistor: N-MOSFET; Trench; unipolar; 80V; 1.2A; Idm: 7.6A; 1.6W

THÔNG SỐ KỸ THUẬT
Manufacturer NEXPERIA
Manufacturer Part No. PMPB215ENEA/FX
Type of transistor N-MOSFET
Technology Trench
Polarisation unipolar
Drain-source voltage 80V
Drain current 1.2A
Pulsed drain current 7.6A
Power dissipation 1.6W
Case DFN2020MD-6, SOT1220
On-state resistance 445mΩ
Mounting SMD
Gate charge 7.2nC
Kind of package reel, tape
Kind of channel enhancement
Gross weight 0.015 g

Tài liệu: Documentation EN · Product family

Giá: Liên hệ – gửi mã và số lượng về [email protected] để nhận báo giá nhanh.

Compare products

Select 2 or 3 items to compare

Select first item to compare

Select second item to compare

Select third item to compare

Compare