Skip to content

NEXPERIAPMXB350UPEZTransistor: P-MOSFET

Case DFN1010D-3Drain current -1ADrain-source voltage -20VGate charge 2.3nC
Mã nhà sản xuất
PMXB350UPEZ
Thương hiệu
Mã kho
PMXB350UPEZ
Liên hệ
📩 Liên hệ để có giá tốt: CV@chanhvinh.com

Transistor: P-MOSFET; Trench; unipolar; -20V; -1A; Idm: -5A; ESD

THÔNG SỐ KỸ THUẬT
Manufacturer NEXPERIA
Manufacturer Part No. PMXB350UPEZ
Type of transistor P-MOSFET
Technology Trench
Polarisation unipolar
Drain-source voltage -20V
Drain current -1A
Pulsed drain current -5A
Case DFN1010D-3, SOT1215
Gate-source voltage ±8V
On-state resistance 0.65Ω
Mounting SMD
Gate charge 2.3nC
Kind of package reel, tape
Kind of channel enhancement
Version ESD
Gross weight 0.1 g

Tài liệu: Documentation EN · Product family

Giá: Liên hệ – gửi mã và số lượng về CV@chanhvinh.com để nhận báo giá nhanh.

Compare products

Select 2 or 3 items to compare

Select first item to compare

Select second item to compare

Select third item to compare

Compare