Skip to content
About us Liên hệ Thông tin xuất hóa đơn cho Chánh Vinh Số tài khoản Ảnh hàng về
PMXB360ENEAZ 151-3135

NEXPERIAPMXB360ENEAZTransistor: N-MOSFET

Case DFN1010D-3Drain current 0.7ADrain-source voltage 80VGate charge 4.5nC
Mã nhà sản xuất
PMXB360ENEAZ
Thương hiệu
NEXPERIA
Mã kho
PMXB360ENEAZ
Liên hệ
📩 Liên hệ để có giá tốt: [email protected]

Transistor: N-MOSFET; Trench; unipolar; 80V; 700mA; Idm: 4.4A; ESD

THÔNG SỐ KỸ THUẬT
Manufacturer NEXPERIA
Manufacturer Part No. PMXB360ENEAZ
Type of transistor N-MOSFET
Technology Trench
Polarisation unipolar
Drain-source voltage 80V
Drain current 0.7A
Pulsed drain current 4.4A
Case DFN1010D-3, SOT1215
Gate-source voltage ±20V
On-state resistance 887mΩ
Mounting SMD
Gate charge 4.5nC
Kind of package reel, tape
Kind of channel enhancement
Version ESD
Gross weight 0.1 g

Tài liệu: Documentation EN · Product family

Giá: Liên hệ – gửi mã và số lượng về [email protected] để nhận báo giá nhanh.

Compare products

Select 2 or 3 items to compare

Select first item to compare

Select second item to compare

Select third item to compare

Compare