Skip to content

NEXPERIAPMZ350UPEYLTransistor: P-MOSFET

Case DFN1006-3Drain current -0.7ADrain-source voltage -20VGate charge 1.9nC
Mã nhà sản xuất
PMZ350UPEYL
Thương hiệu
Mã kho
PMZ350UPEYL
Liên hệ
📩 Liên hệ để có giá tốt: CV@chanhvinh.com

Transistor: P-MOSFET; Trench; unipolar; -20V; -700mA; Idm: -2.8A

THÔNG SỐ KỸ THUẬT
Manufacturer NEXPERIA
Manufacturer Part No. PMZ350UPEYL
Type of transistor P-MOSFET
Technology Trench
Polarisation unipolar
Drain-source voltage -20V
Drain current -0.7A
Pulsed drain current -2.8A
Case DFN1006-3, SOT883
On-state resistance 645mΩ
Mounting SMD
Gate charge 1.9nC
Kind of package reel, tape
Kind of channel enhancement
Version ESD
Gross weight 0.01 g

Tài liệu: Documentation EN · Product family

Giá: Liên hệ – gửi mã và số lượng về CV@chanhvinh.com để nhận báo giá nhanh.

Compare products

Select 2 or 3 items to compare

Select first item to compare

Select second item to compare

Select third item to compare

Compare