Skip to content

NEXPERIAPMZ600UNEYLTransistor: N-MOSFET

Case DFN1006-3Drain current 0.4ADrain-source voltage 20VGate charge 0.7nC
Mã nhà sản xuất
PMZ600UNEYL
Thương hiệu
Mã kho
PMZ600UNEYL
Liên hệ
📩 Liên hệ để có giá tốt: [email protected]

Transistor: N-MOSFET; Trench; unipolar; 20V; 400mA; Idm: 2.5A; ESD

THÔNG SỐ KỸ THUẬT
Manufacturer NEXPERIA
Manufacturer Part No. PMZ600UNEYL
Type of transistor N-MOSFET
Technology Trench
Polarisation unipolar
Drain-source voltage 20V
Drain current 0.4A
Pulsed drain current 2.5A
Case DFN1006-3, SOT883
Gate-source voltage ±8V
On-state resistance 1Ω
Mounting SMD
Gate charge 0.7nC
Kind of package reel, tape
Kind of channel enhancement
Version ESD
Gross weight 0.1 g

Tài liệu: Documentation EN · Product family

Giá: Liên hệ – gửi mã và số lượng về [email protected] để nhận báo giá nhanh.

Compare products

Select 2 or 3 items to compare

Select first item to compare

Select second item to compare

Select third item to compare

Compare