Skip to content

NEXPERIAPMZ950UPEYLTransistor: P-MOSFET

Case DFN1006-3Drain current -300mADrain-source voltage -20VGate charge 2.1nC
Mã nhà sản xuất
PMZ950UPEYL
Thương hiệu
Mã kho
PMZ950UPEYL
Liên hệ
📩 Liên hệ để có giá tốt: [email protected]

Transistor: P-MOSFET; Trench; unipolar; -20V; -300mA; Idm: -2A; ESD

THÔNG SỐ KỸ THUẬT
Manufacturer NEXPERIA
Manufacturer Part No. PMZ950UPEYL
Type of transistor P-MOSFET
Technology Trench
Polarisation unipolar
Drain-source voltage -20V
Drain current -300mA
Pulsed drain current -2A
Case DFN1006-3, SOT883
Gate-source voltage ±8V
On-state resistance 2.1Ω
Mounting SMD
Gate charge 2.1nC
Kind of package reel, tape
Kind of channel enhancement
Version ESD
Gross weight 0.1 g

Tài liệu: Documentation EN · Product family

Giá: Liên hệ – gửi mã và số lượng về [email protected] để nhận báo giá nhanh.

Compare products

Select 2 or 3 items to compare

Select first item to compare

Select second item to compare

Select third item to compare

Compare