Skip to content

NEXPERIAPMZB320UPEYLTransistor: P-MOSFET

Case DFN1006B-3Drain current -0.6ADrain-source voltage -30VGate charge 1.4nC
Mã nhà sản xuất
PMZB320UPEYL
Thương hiệu
Mã kho
PMZB320UPEYL
Liên hệ
📩 Liên hệ để có giá tốt: [email protected]

Transistor: P-MOSFET; Trench; unipolar; -30V; -600mA; Idm: -4A

THÔNG SỐ KỸ THUẬT
Manufacturer NEXPERIA
Manufacturer Part No. PMZB320UPEYL
Type of transistor P-MOSFET
Technology Trench
Polarisation unipolar
Drain-source voltage -30V
Drain current -0.6A
Pulsed drain current -4A
Case DFN1006B-3, SOT883B
Gate-source voltage ±8V
On-state resistance 810mΩ
Mounting SMD
Gate charge 1.4nC
Kind of package reel, tape
Kind of channel enhancement
Gross weight 0.1 g

Tài liệu: Documentation EN · Product family

Giá: Liên hệ – gửi mã và số lượng về [email protected] để nhận báo giá nhanh.

Compare products

Select 2 or 3 items to compare

Select first item to compare

Select second item to compare

Select third item to compare

Compare