Skip to content

ONSEMIBU406GBipolar (BJT) Single Transistor NPN 200 V 7 A 60 W TO-220 Through Hole

Collector Emitter Voltage Max 200VContinuous Collector Current 7ADC Current Gain hFE Min 10hFEPower Dissipation 60W
Mã nhà sản xuất
BU406G
Thương hiệu
Quy cách đóng gói
1 cái
Mã kho
2535618
Liên hệ
📩 Liên hệ để có giá tốt: CV@chanhvinh.com 📄 Datasheet (PDF)

Onsemi BU406G. Bipolar (BJT) Single Transistor NPN 200 V 7 A 60 W TO-220 Through Hole

Features:

  • Bipolar (BJT) Single Transistor
  • NPN
  • 200 V
  • 7 A
  • 60 W
  • TO-220
  • Through Hole
THÔNG SỐ KỸ THUẬT
Manufacturer Onsemi
Manufacturer Part No. BU406G
Transistor Polarity NPN
Collector Emitter Voltage Max 200V
Continuous Collector Current 7A
Power Dissipation 60W
Transistor Case Style TO-220
Transistor Mounting Through Hole
Transition Frequency 10MHz
DC Current Gain hFE Min 10hFE
Operating Temperature Max 150°C

Giá: Liên hệ – gửi mã và số lượng về CV@chanhvinh.com để nhận báo giá nhanh.

Compare products

Select 2 or 3 items to compare

Select first item to compare

Select second item to compare

Select third item to compare

Compare
📄 Datasheet ONSEMI BU406G (PDF)