FDB0260N1007L 2565222

ONSEMIFDB0260N1007LTransistor: N-MOSFET

Case D2PAK-7Drain current 200ADrain-source voltage 100VGate charge 84nC

Mã nhà sản xuất

FDB0260N1007L

Thương hiệu

Mã kho

FDB0260N1007L

Liên hệ

📩 Liên hệ để có giá tốt: [email protected]

Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 200A; Idm: 1100A; 250W

THÔNG SỐ KỸ THUẬT
Manufacturer	ONSEMI
Manufacturer Part No.	FDB0260N1007L
Type of transistor	N-MOSFET
Polarisation	unipolar
Drain-source voltage	100V
Drain current	200A
Pulsed drain current	1100A
Power dissipation	250W
Case	D2PAK-7
Gate-source voltage	±20V
On-state resistance	2.6mΩ
Mounting	SMD
Gate charge	84nC
Kind of package	reel, tape
Kind of channel	enhancement
Gross weight	1.5 g

Tài liệu: Product family

Giá: Liên hệ – gửi mã và số lượng về [email protected] để nhận báo giá nhanh.

Select first item to compare

Select second item to compare

Select third item to compare

Compare