Skip to content

ONSEMINVBG080N120SC1Transistor: N-MOSFET

Case D2PAK-7Drain current 21ADrain-source voltage 1.2kVFeatures of semiconductor devices Kelvin terminal
Mã nhà sản xuất
NVBG080N120SC1
Thương hiệu
Mã kho
NVBG080N120SC1
Liên hệ
📩 Liên hệ để có giá tốt: [email protected]

Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 21A; Idm: 132A; 89W

THÔNG SỐ KỸ THUẬT
Manufacturer ONSEMI
Manufacturer Part No. NVBG080N120SC1
Type of transistor N-MOSFET
Technology SiC
Polarisation unipolar
Drain-source voltage 1.2kV
Drain current 21A
Pulsed drain current 132A
Power dissipation 89W
Case D2PAK-7
Gate-source voltage -5...20V
On-state resistance 121mΩ
Mounting SMD
Gate charge 56nC
Kind of package reel, tape
Kind of channel enhancement
Features of semiconductor devices Kelvin terminal
Gross weight 1.5 g

Tài liệu: Product family

Giá: Liên hệ – gửi mã và số lượng về [email protected] để nhận báo giá nhanh.

Compare products

Select 2 or 3 items to compare

Select first item to compare

Select second item to compare

Select third item to compare

Compare