Skip to content

ONSEMINVBG1000N170M1Transistor: N-MOSFET

Case D2PAK-7Drain current 3ADrain-source voltage 1.7kVFeatures of semiconductor devices Kelvin terminal
Mã nhà sản xuất
NVBG1000N170M1
Thương hiệu
Mã kho
NVBG1000N170M1
Liên hệ
📩 Liên hệ để có giá tốt: CV@chanhvinh.com

Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.7kV; 3A; Idm: 14.6A; 25W

THÔNG SỐ KỸ THUẬT
Manufacturer ONSEMI
Manufacturer Part No. NVBG1000N170M1
Type of transistor N-MOSFET
Technology SiC
Polarisation unipolar
Drain-source voltage 1.7kV
Drain current 3A
Pulsed drain current 14.6A
Power dissipation 25W
Case D2PAK-7
Gate-source voltage -5...20V
On-state resistance 1.8Ω
Mounting SMD
Gate charge 14nC
Kind of package reel, tape
Kind of channel enhancement
Features of semiconductor devices Kelvin terminal
Gross weight 1.5 g

Tài liệu: Product family

Giá: Liên hệ – gửi mã và số lượng về CV@chanhvinh.com để nhận báo giá nhanh.

Compare products

Select 2 or 3 items to compare

Select first item to compare

Select second item to compare

Select third item to compare

Compare