Skip to content

ONSEMINVJD4152PT1GTransistor: P-MOSFET x2

Case SC88Drain current -880mADrain-source voltage -20VGate charge 2.2nC
Mã nhà sản xuất
NVJD4152PT1G
Thương hiệu
Mã kho
NVJD4152PT1G
Liên hệ
📩 Liên hệ để có giá tốt: [email protected]

Transistor: P-MOSFET x2; unipolar; -20V; -880mA; 141mW; SC88; ESD

THÔNG SỐ KỸ THUẬT
Manufacturer ONSEMI
Manufacturer Part No. NVJD4152PT1G
Type of transistor P-MOSFET x2
Polarisation unipolar
Drain-source voltage -20V
Drain current -880mA
Power dissipation 141mW
Case SC88
Gate-source voltage ±12V
On-state resistance 0.26Ω
Mounting SMD
Gate charge 2.2nC
Kind of package reel, tape
Kind of channel enhancement
Version ESD
Gross weight 0.01 g

Tài liệu: Product family

Giá: Liên hệ – gửi mã và số lượng về [email protected] để nhận báo giá nhanh.

Compare products

Select 2 or 3 items to compare

Select first item to compare

Select second item to compare

Select third item to compare

Compare