NVMD4N03R2G

ONSEMINVMD4N03R2GTransistor: N-MOSFET x2

Case SO8Drain current 4ADrain-source voltage 30VGate charge 8nC

Mã nhà sản xuất

NVMD4N03R2G

Thương hiệu

Mã kho

NVMD4N03R2G

Liên hệ

📩 Liên hệ để có giá tốt: [email protected]

Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 30V; 4A; Idm: 12A; 2W; SO8

THÔNG SỐ KỸ THUẬT
Manufacturer	ONSEMI
Manufacturer Part No.	NVMD4N03R2G
Type of transistor	N-MOSFET x2
Polarisation	unipolar
Drain-source voltage	30V
Drain current	4A
Pulsed drain current	12A
Power dissipation	2W
Case	SO8
Gate-source voltage	±20V
On-state resistance	60mΩ
Mounting	SMD
Gate charge	8nC
Kind of package	reel, tape
Kind of channel	enhancement
Gross weight	0.1 g

Tài liệu: Product family

Giá: Liên hệ – gửi mã và số lượng về [email protected] để nhận báo giá nhanh.

Select first item to compare

Select second item to compare

Select third item to compare

Compare