Skip to content

ONSEMINVMFS2D3P04M8LT1GTransistor: P-MOSFET

Case DFN5Drain current -222ADrain-source voltage -40VGate charge 157nC
Mã nhà sản xuất
NVMFS2D3P04M8LT1G
Thương hiệu
Mã kho
NVMFS2D3P04M8LT1G
Liên hệ
📩 Liên hệ để có giá tốt: [email protected]

Transistor: P-MOSFET; unipolar; -40V; -222A; Idm: -900A; 103W; DFN5

THÔNG SỐ KỸ THUẬT
Manufacturer ONSEMI
Manufacturer Part No. NVMFS2D3P04M8LT1G
Type of transistor P-MOSFET
Polarisation unipolar
Drain-source voltage -40V
Drain current -222A
Pulsed drain current -900A
Power dissipation 103W
Case DFN5
Gate-source voltage ±20V
On-state resistance 2.2mΩ
Mounting SMD
Gate charge 157nC
Kind of package reel, tape
Kind of channel enhancement
Gross weight 0.01 g

Tài liệu: Product family

Giá: Liên hệ – gửi mã và số lượng về [email protected] để nhận báo giá nhanh.

Compare products

Select 2 or 3 items to compare

Select first item to compare

Select second item to compare

Select third item to compare

Compare