Skip to content

ONSEMINVMFWS014P04M8LT1GTransistor: P-MOSFET

Case DFN5Drain current -52.1ADrain-source voltage -40VGate charge 26.5nC
Mã nhà sản xuất
NVMFWS014P04M8LT1G
Thương hiệu
Mã kho
NVMFWS014P04M8LT1G
Liên hệ
📩 Liên hệ để có giá tốt: [email protected]

Transistor: P-MOSFET; unipolar; -40V; -52.1A; Idm: -268A; 30W; DFN5

THÔNG SỐ KỸ THUẬT
Manufacturer ONSEMI
Manufacturer Part No. NVMFWS014P04M8LT1G
Type of transistor P-MOSFET
Polarisation unipolar
Drain-source voltage -40V
Drain current -52.1A
Pulsed drain current -268A
Power dissipation 30W
Case DFN5
Gate-source voltage ±20V
On-state resistance 13.8mΩ
Mounting SMD
Gate charge 26.5nC
Kind of package reel, tape
Kind of channel enhancement
Gross weight 0.01 g

Tài liệu: Product family

Giá: Liên hệ – gửi mã và số lượng về [email protected] để nhận báo giá nhanh.

Compare products

Select 2 or 3 items to compare

Select first item to compare

Select second item to compare

Select third item to compare

Compare