NVMS5P02R2G

ONSEMINVMS5P02R2GTransistor: P-MOSFET

Case SO8Drain current -5.4ADrain-source voltage -20VGate charge 20nC

Mã nhà sản xuất

NVMS5P02R2G

Thương hiệu

Mã kho

NVMS5P02R2G

Liên hệ

📩 Liên hệ để có giá tốt: [email protected]

Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -5.4A; Idm: -20A; 1.47W; SO8

THÔNG SỐ KỸ THUẬT
Manufacturer	ONSEMI
Manufacturer Part No.	NVMS5P02R2G
Type of transistor	P-MOSFET
Polarisation	unipolar
Drain-source voltage	-20V
Drain current	-5.4A
Pulsed drain current	-20A
Power dissipation	1.47W
Case	SO8
Gate-source voltage	±10V
On-state resistance	33mΩ
Mounting	SMD
Gate charge	20nC
Kind of package	reel, tape
Kind of channel	enhancement
Gross weight	0.1 g

Tài liệu: Product family

Giá: Liên hệ – gửi mã và số lượng về [email protected] để nhận báo giá nhanh.

Select first item to compare

Select second item to compare

Select third item to compare

Compare