RENESAS ELECTRONICS2SJ626-T1B-ARenesas P-Channel MOSFET, 6 A, 60 V, 3-Pin SOT-346T 2SJ626-T1B-A

Channel Mode EnhancementChannel Type PMaximum Continuous Drain Current 6AMaximum Gate Threshold Voltage 2.5V

Mã nhà sản xuất

2SJ626-T1B-A

Thương hiệu

Quy cách đóng gói

40 cái (băng liên tục)

Mã kho

7725276

Liên hệ

MOSFET Transistors, Renesas Electronics (NEC)

THÔNG SỐ KỸ THUẬT
Manufacturer	Renesas Electronics
Manufacturer Part No.	2SJ626-T1B-A
Channel Type	P
Maximum Continuous Drain Current	6A
Maximum Drain Source Voltage	60V
Package Type	SOT-346T (SC-96)
Mounting Type	Surface Mount
Pin Count	3
Maximum Drain Source Resistance	550mΩ
Channel Mode	Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage	2.5V
Maximum Power Dissipation	1.25W
Transistor Configuration	Single
Maximum Gate Source Voltage	-20 V, +20 V
Typical Gate Charge @ Vgs	8.2 nC @ 10 V
Transistor Material	Si
Maximum Operating Temperature	+150°C
Width	1.5mm
Number of Elements per Chip	1
Length	2.9mm
Height	1mm

Giá: Liên hệ – gửi mã và số lượng về [email protected] để nhận báo giá nhanh.

Added to your cart: