RENESAS ELECTRONICS2SJ648-T1-ARenesas P-Channel MOSFET, 1.6 A, 20 V, 3-Pin SOT-416 2SJ648-T1-A

Channel Mode EnhancementChannel Type PMaximum Continuous Drain Current 1.6AMaximum Gate Threshold Voltage 1.8V

Mã nhà sản xuất

2SJ648-T1-A

Thương hiệu

Quy cách đóng gói

160 cái (băng liên tục)

Mã kho

7725270

Liên hệ

MOSFET Transistors, Renesas Electronics (NEC)

THÔNG SỐ KỸ THUẬT
Manufacturer	Renesas Electronics
Manufacturer Part No.	2SJ648-T1-A
Channel Type	P
Maximum Continuous Drain Current	1.6A
Maximum Drain Source Voltage	20V
Package Type	SOT-416 (SC-75)
Mounting Type	Surface Mount
Pin Count	3
Maximum Drain Source Resistance	2.98Ω
Channel Mode	Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage	1.8V
Maximum Power Dissipation	200 mW
Transistor Configuration	Single
Maximum Gate Source Voltage	-12 V, +12 V
Width	0.8mm
Maximum Operating Temperature	+150°C
Length	1.6mm
Number of Elements per Chip	1
Transistor Material	Si
Height	0.75mm

Giá: Liên hệ – gửi mã và số lượng về [email protected] để nhận báo giá nhanh.

Added to your cart: