Skip to content

RENESASTP65H015G5WSGallium Nitride (GaN) Transistor 650 V 95 A 0.018 ohm 74 nC TO-247 Through Hole

Continuous Drain Current Id 95ANo. of Pins 3PinsTransistor Case Style TO-247Transistor Mounting Through Hole
Mã nhà sản xuất
TP65H015G5WS
Thương hiệu
Quy cách đóng gói
1 cái
Mã kho
4371826
Liên hệ
📩 Liên hệ để có giá tốt: [email protected]

Renesas TP65H015G5WS. Gallium Nitride (GaN) Transistor 650 V 95 A 0.018 ohm 74 nC TO-247 Through Hole

Features:

  • Gallium Nitride (GaN) Transistor
  • 650 V
  • 95 A
  • 0.018 ohm
  • 74 nC
  • TO-247
  • Through Hole
THÔNG SỐ KỸ THUẬT
Manufacturer Renesas
Manufacturer Part No. TP65H015G5WS
Drain Source Voltage Vds 650V
Continuous Drain Current Id 95A
Drain Source On State Resistance 0.018ohm
Typical Gate Charge 74nC
Transistor Case Style TO-247
Transistor Mounting Through Hole
No. of Pins 3Pins
Product Range SuperGaN Series

Giá: Liên hệ – gửi mã và số lượng về [email protected] để nhận báo giá nhanh.

Compare products

Select 2 or 3 items to compare

Select first item to compare

Select second item to compare

Select third item to compare

Compare