Skip to content

RENESASTP65H070G4LSG-TRGallium Nitride (GaN) Transistor 650 V 29 A 0.085 ohm 8.4 nC PQFN Surface Mount

Continuous Drain Current Id 29ANo. of Pins 3PinsTransistor Case Style PQFNTransistor Mounting Surface Mount
Mã nhà sản xuất
TP65H070G4LSG-TR
Thương hiệu
Mã kho
4371969
Liên hệ
📩 Liên hệ để có giá tốt: CV@chanhvinh.com

Renesas TP65H070G4LSG-TR. Gallium Nitride (GaN) Transistor 650 V 29 A 0.085 ohm 8.4 nC PQFN Surface Mount

Features:

  • Gallium Nitride (GaN) Transistor
  • 650 V
  • 29 A
  • 0.085 ohm
  • 8.4 nC
  • PQFN
  • Surface Mount
THÔNG SỐ KỸ THUẬT
Manufacturer Renesas
Manufacturer Part No. TP65H070G4LSG-TR
Drain Source Voltage Vds 650V
Continuous Drain Current Id 29A
Drain Source On State Resistance 0.085ohm
Typical Gate Charge 8.4nC
Transistor Case Style PQFN
Transistor Mounting Surface Mount
No. of Pins 3Pins
Product Range SuperGaN Series

Giá: Liên hệ – gửi mã và số lượng về CV@chanhvinh.com để nhận báo giá nhanh.

Compare products

Select 2 or 3 items to compare

Select first item to compare

Select second item to compare

Select third item to compare

Compare