Skip to content

RENESASTP65H070G4PSGallium Nitride (GaN) Transistor 650 V 29 A 0.085 ohm 9 nC TO-220AB Through Hole

Continuous Drain Current Id 29ANo. of Pins 3PinsTransistor Case Style TO-220ABTransistor Mounting Through Hole
Mã nhà sản xuất
TP65H070G4PS
Thương hiệu
Quy cách đóng gói
1 cái
Mã kho
4371971
Liên hệ
📩 Liên hệ để có giá tốt: [email protected]

Renesas TP65H070G4PS. Gallium Nitride (GaN) Transistor 650 V 29 A 0.085 ohm 9 nC TO-220AB Through Hole

Features:

  • Gallium Nitride (GaN) Transistor
  • 650 V
  • 29 A
  • 0.085 ohm
  • 9 nC
  • TO-220AB
  • Through Hole
THÔNG SỐ KỸ THUẬT
Manufacturer Renesas
Manufacturer Part No. TP65H070G4PS
Drain Source Voltage Vds 650V
Continuous Drain Current Id 29A
Drain Source On State Resistance 0.085ohm
Typical Gate Charge 9nC
Transistor Case Style TO-220AB
Transistor Mounting Through Hole
No. of Pins 3Pins
Product Range SuperGaN Series

Giá: Liên hệ – gửi mã và số lượng về [email protected] để nhận báo giá nhanh.

Compare products

Select 2 or 3 items to compare

Select first item to compare

Select second item to compare

Select third item to compare

Compare