Skip to content

ROHMBSM080D12P2C008Silicon Carbide MOSFET Half Bridge Dual N Channel 80 A 1.2 kV Module

Channel Type Dual N ChannelContinuous Drain Current Id 80AMOSFET Module Configuration Half BridgePower Dissipation 600W
Mã nhà sản xuất
BSM080D12P2C008
Thương hiệu
Quy cách đóng gói
1 cái
Mã kho
3573215
Liên hệ
📩 Liên hệ để có giá tốt: [email protected] 📄 Datasheet (PDF)

Rohm BSM080D12P2C008. Silicon Carbide MOSFET Half Bridge Dual N Channel 80 A 1.2 kV Module

Features:

  • Silicon Carbide MOSFET
  • Half Bridge
  • Dual N Channel
  • 80 A
  • 1.2 kV
  • Module
THÔNG SỐ KỸ THUẬT
Manufacturer Rohm
Manufacturer Part No. BSM080D12P2C008
MOSFET Module Configuration Half Bridge
Channel Type Dual N Channel
Continuous Drain Current Id 80A
Drain Source Voltage Vds 1.2kV
Transistor Case Style Module
Gate Source Threshold Voltage Max 4V
Power Dissipation 600W

Giá: Liên hệ – gửi mã và số lượng về [email protected] để nhận báo giá nhanh.

Compare products

Select 2 or 3 items to compare

Select first item to compare

Select second item to compare

Select third item to compare

Compare
📄 Datasheet ROHM BSM080D12P2C008 (PDF)