R6006JND3TL1

ROHM SEMICONDUCTORR6006JND3TL1Transistor: N-MOSFET

Case TO252Drain current 6ADrain-source voltage 600VGate charge 15.5nC

Mã nhà sản xuất

R6006JND3TL1

Thương hiệu

ROHM SEMICONDUCTOR

Mã kho

R6006JND3TL1

Liên hệ

📩 Liên hệ để có giá tốt: [email protected]

Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 6A; Idm: 18A; 86W; TO252

THÔNG SỐ KỸ THUẬT
Manufacturer	ROHM SEMICONDUCTOR
Manufacturer Part No.	R6006JND3TL1
Type of transistor	N-MOSFET
Polarisation	unipolar
Drain-source voltage	600V
Drain current	6A
Pulsed drain current	18A
Power dissipation	86W
Case	TO252
Gate-source voltage	±30V
On-state resistance	936mΩ
Mounting	SMD
Gate charge	15.5nC
Kind of package	reel, tape
Kind of channel	enhancement
Gross weight	1 g

Tài liệu: Product family

Giá: Liên hệ – gửi mã và số lượng về [email protected] để nhận báo giá nhanh.

Select first item to compare

Select second item to compare

Select third item to compare

Compare