Skip to content

ROHM SEMICONDUCTORR6009END3TL1Transistor: N-MOSFET

Case TO252Drain current 9ADrain-source voltage 600VGate charge 23nC
Mã nhà sản xuất
R6009END3TL1
Thương hiệu
Mã kho
R6009END3TL1
Liên hệ
📩 Liên hệ để có giá tốt: [email protected]

Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 9A; Idm: 18A; 94W; TO252

THÔNG SỐ KỸ THUẬT
Manufacturer ROHM SEMICONDUCTOR
Manufacturer Part No. R6009END3TL1
Type of transistor N-MOSFET
Polarisation unipolar
Drain-source voltage 600V
Drain current 9A
Pulsed drain current 18A
Power dissipation 94W
Case TO252
Gate-source voltage ±20V
On-state resistance 1Ω
Mounting SMD
Gate charge 23nC
Kind of package reel, tape
Kind of channel enhancement
Gross weight 1 g

Tài liệu: Product family

Giá: Liên hệ – gửi mã và số lượng về [email protected] để nhận báo giá nhanh.

Compare products

Select 2 or 3 items to compare

Select first item to compare

Select second item to compare

Select third item to compare

Compare