R6009JND3TL1 3018860

ROHM SEMICONDUCTORR6009JND3TL1Transistor: N-MOSFET

Case TO252Drain current 9ADrain-source voltage 600VGate charge 22nC

Mã nhà sản xuất

R6009JND3TL1

Thương hiệu

ROHM SEMICONDUCTOR

Mã kho

R6009JND3TL1

Liên hệ

📩 Liên hệ để có giá tốt: [email protected]

Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 9A; Idm: 27A; 125W; TO252

THÔNG SỐ KỸ THUẬT
Manufacturer	ROHM SEMICONDUCTOR
Manufacturer Part No.	R6009JND3TL1
Type of transistor	N-MOSFET
Polarisation	unipolar
Drain-source voltage	600V
Drain current	9A
Pulsed drain current	27A
Power dissipation	125W
Case	TO252
Gate-source voltage	±30V
On-state resistance	585mΩ
Mounting	SMD
Gate charge	22nC
Kind of package	reel, tape
Kind of channel	enhancement
Gross weight	1 g

Tài liệu: Product family

Giá: Liên hệ – gửi mã và số lượng về [email protected] để nhận báo giá nhanh.

Select first item to compare

Select second item to compare

Select third item to compare

Compare