Skip to content

ROHM SEMICONDUCTORRQ3E120GNTBTransistor: N-MOSFET

Case HSMT8Drain current 27ADrain-source voltage 30VGate charge 10nC
Mã nhà sản xuất
RQ3E120GNTB
Thương hiệu
Mã kho
RQ3E120GNTB
Liên hệ
📩 Liên hệ để có giá tốt: [email protected]

Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 27A; Idm: 48A; 15W; HSMT8

THÔNG SỐ KỸ THUẬT
Manufacturer ROHM SEMICONDUCTOR
Manufacturer Part No. RQ3E120GNTB
Type of transistor N-MOSFET
Polarisation unipolar
Drain-source voltage 30V
Drain current 27A
Pulsed drain current 48A
Power dissipation 15W
Case HSMT8
Gate-source voltage ±20V
On-state resistance 13.8mΩ
Mounting SMD
Gate charge 10nC
Kind of package reel, tape
Kind of channel enhancement
Gross weight 0.052 g

Tài liệu: Product family

Giá: Liên hệ – gửi mã và số lượng về [email protected] để nhận báo giá nhanh.

Compare products

Select 2 or 3 items to compare

Select first item to compare

Select second item to compare

Select third item to compare

Compare