Skip to content

ROHM SEMICONDUCTORSH8J66TB1Transistor: P-MOSFET x2

Case SO8Drain current -9ADrain-source voltage -30VGate charge 35nC
Mã nhà sản xuất
SH8J66TB1
Thương hiệu
Mã kho
SH8J66TB1
Liên hệ
📩 Liên hệ để có giá tốt: [email protected]

Transistor: P-MOSFET x2; unipolar; -30V; -9A; Idm: -36A; 2W; SO8; ESD

THÔNG SỐ KỸ THUẬT
Manufacturer ROHM SEMICONDUCTOR
Manufacturer Part No. SH8J66TB1
Type of transistor P-MOSFET x2
Polarisation unipolar
Drain-source voltage -30V
Drain current -9A
Pulsed drain current -36A
Power dissipation 2W
Case SO8
Gate-source voltage ±20V
On-state resistance 24.7mΩ
Mounting SMD
Gate charge 35nC
Kind of package reel, tape
Kind of channel enhancement
Version ESD
Gross weight 0.1 g

Tài liệu: Product family

Giá: Liên hệ – gửi mã và số lượng về [email protected] để nhận báo giá nhanh.

Compare products

Select 2 or 3 items to compare

Select first item to compare

Select second item to compare

Select third item to compare

Compare