Skip to content

STARPOWERGD1400HFX170P2SIGBT Module Half Bridge 2.342 kA 1.95 V 9.37 kW 150 °C Module

Collector Emitter Saturation Voltage 1.95VCollector Emitter Voltage Max 1.7kVIGBT Configuration Half BridgeIGBT Technology Trench Field Stop
Mã nhà sản xuất
GD1400HFX170P2S
Thương hiệu
Quy cách đóng gói
1 cái
Mã kho
3549224
Liên hệ
📩 Liên hệ để có giá tốt: CV@chanhvinh.com

Starpower GD1400HFX170P2S. IGBT Module Half Bridge 2.342 kA 1.95 V 9.37 kW 150 °C Module

Features:

  • IGBT Module
  • Half Bridge
  • 2.342 kA
  • 1.95 V
  • 9.37 kW
  • 150 °C
  • Module
THÔNG SỐ KỸ THUẬT
Manufacturer Starpower
Manufacturer Part No. GD1400HFX170P2S
IGBT Configuration Half Bridge
Collector Emitter Saturation Voltage 1.95V
Power Dissipation 9.37kW
Operating Temperature Max 150°C
Transistor Case Style Module
IGBT Termination Stud
Collector Emitter Voltage Max 1.7kV
IGBT Technology Trench Field Stop
Transistor Mounting Panel

Giá: Liên hệ – gửi mã và số lượng về CV@chanhvinh.com để nhận báo giá nhanh.

Compare products

Select 2 or 3 items to compare

Select first item to compare

Select second item to compare

Select third item to compare

Compare