Skip to content

STARPOWERGD150HFX170C2SIGBT Module Half Bridge 280 A 1.85 V 1.127 kW 150 °C Module

Collector Emitter Saturation Voltage 1.85VCollector Emitter Voltage Max 1.7kVIGBT Configuration Half BridgeIGBT Technology Trench Field Stop
Mã nhà sản xuất
GD150HFX170C2S
Thương hiệu
Quy cách đóng gói
1 cái
Mã kho
3549230
Liên hệ
📩 Liên hệ để có giá tốt: [email protected]

Starpower GD150HFX170C2S. IGBT Module Half Bridge 280 A 1.85 V 1.127 kW 150 °C Module

Features:

  • IGBT Module
  • Half Bridge
  • 280 A
  • 1.85 V
  • 1.127 kW
  • 150 °C
  • Module
THÔNG SỐ KỸ THUẬT
Manufacturer Starpower
Manufacturer Part No. GD150HFX170C2S
IGBT Configuration Half Bridge
Collector Emitter Saturation Voltage 1.85V
Power Dissipation 1.127kW
Operating Temperature Max 150°C
Transistor Case Style Module
IGBT Termination Stud
Collector Emitter Voltage Max 1.7kV
IGBT Technology Trench Field Stop
Transistor Mounting Panel

Giá: Liên hệ – gửi mã và số lượng về [email protected] để nhận báo giá nhanh.

Compare products

Select 2 or 3 items to compare

Select first item to compare

Select second item to compare

Select third item to compare

Compare