Skip to content

STARPOWERGD150HFY120C8SIGBT Module Half Bridge 291 A 1.7 V 1.102 kW 150 °C Module

Collector Emitter Saturation Voltage 1.7VCollector Emitter Voltage Max 1.2kVIGBT Configuration Half BridgeIGBT Technology Trench Field Stop
Mã nhà sản xuất
GD150HFY120C8S
Thương hiệu
Quy cách đóng gói
1 cái
Mã kho
3549232
Liên hệ
📩 Liên hệ để có giá tốt: CV@chanhvinh.com

Starpower GD150HFY120C8S. IGBT Module Half Bridge 291 A 1.7 V 1.102 kW 150 °C Module

Features:

  • IGBT Module
  • Half Bridge
  • 291 A
  • 1.7 V
  • 1.102 kW
  • 150 °C
  • Module
THÔNG SỐ KỸ THUẬT
Manufacturer Starpower
Manufacturer Part No. GD150HFY120C8S
IGBT Configuration Half Bridge
Collector Emitter Saturation Voltage 1.7V
Power Dissipation 1.102kW
Operating Temperature Max 150°C
Transistor Case Style Module
IGBT Termination Stud
Collector Emitter Voltage Max 1.2kV
IGBT Technology Trench Field Stop
Transistor Mounting Panel

Giá: Liên hệ – gửi mã và số lượng về CV@chanhvinh.com để nhận báo giá nhanh.

Compare products

Select 2 or 3 items to compare

Select first item to compare

Select second item to compare

Select third item to compare

Compare