Skip to content

STARPOWERGD50HFX65C1SIGBT Module Half Bridge 75 A 1.45 V 205 W 150 °C Module

Collector Emitter Saturation Voltage 1.45VCollector Emitter Voltage Max 650VIGBT Configuration Half BridgeIGBT Technology Trench
Mã nhà sản xuất
GD50HFX65C1S
Thương hiệu
Quy cách đóng gói
1 cái
Mã kho
3912062
Liên hệ
📩 Liên hệ để có giá tốt: [email protected]

Starpower GD50HFX65C1S. IGBT Module Half Bridge 75 A 1.45 V 205 W 150 °C Module

Features:

  • IGBT Module
  • Half Bridge
  • 75 A
  • 1.45 V
  • 205 W
  • 150 °C
  • Module
THÔNG SỐ KỸ THUẬT
Manufacturer Starpower
Manufacturer Part No. GD50HFX65C1S
IGBT Configuration Half Bridge
Collector Emitter Saturation Voltage 1.45V
Power Dissipation 205W
Operating Temperature Max 150°C
Transistor Case Style Module
IGBT Termination Stud
Collector Emitter Voltage Max 650V
IGBT Technology Trench
Transistor Mounting Panel

Giá: Liên hệ – gửi mã và số lượng về [email protected] để nhận báo giá nhanh.

Compare products

Select 2 or 3 items to compare

Select first item to compare

Select second item to compare

Select third item to compare

Compare