Skip to content

STARPOWERGD75HFX170C1SIGBT Module Half Bridge 139 A 1.85 V 559 W 150 °C Module

Collector Emitter Saturation Voltage 1.85VCollector Emitter Voltage Max 1.7kVIGBT Configuration Half BridgeIGBT Technology Trench
Mã nhà sản xuất
GD75HFX170C1S
Thương hiệu
Quy cách đóng gói
1 cái
Mã kho
3912068
Liên hệ
📩 Liên hệ để có giá tốt: CV@chanhvinh.com

Starpower GD75HFX170C1S. IGBT Module Half Bridge 139 A 1.85 V 559 W 150 °C Module

Features:

  • IGBT Module
  • Half Bridge
  • 139 A
  • 1.85 V
  • 559 W
  • 150 °C
  • Module
THÔNG SỐ KỸ THUẬT
Manufacturer Starpower
Manufacturer Part No. GD75HFX170C1S
IGBT Configuration Half Bridge
Collector Emitter Saturation Voltage 1.85V
Power Dissipation 559W
Operating Temperature Max 150°C
Transistor Case Style Module
IGBT Termination Stud
Collector Emitter Voltage Max 1.7kV
IGBT Technology Trench
Transistor Mounting Panel

Giá: Liên hệ – gửi mã và số lượng về CV@chanhvinh.com để nhận báo giá nhanh.

Compare products

Select 2 or 3 items to compare

Select first item to compare

Select second item to compare

Select third item to compare

Compare