SI1013X-T1-GE3

VISHAYSI1013X-T1-GE3Transistor: P-MOSFET

Case SC89Drain current -400mADrain-source voltage -20VGate charge 1.5nC

Mã nhà sản xuất

SI1013X-T1-GE3

Thương hiệu

Mã kho

SI1013X-T1-GE3

Liên hệ

📩 Liên hệ để có giá tốt: [email protected]

Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -20V; -0.4A; Idm: -1A

THÔNG SỐ KỸ THUẬT
Manufacturer	VISHAY
Manufacturer Part No.	SI1013X-T1-GE3
Type of transistor	P-MOSFET
Technology	TrenchFET®
Polarisation	unipolar
Drain-source voltage	-20V
Drain current	-400mA
Pulsed drain current	-1A
Power dissipation	0.275W
Case	SC89, SOT563
Gate-source voltage	±6V
On-state resistance	2.7Ω
Mounting	SMD
Gate charge	1.5nC
Kind of package	reel, tape
Kind of channel	enhancement
Gross weight	0.1 g

Tài liệu: Documentation EN · Product family

Giá: Liên hệ – gửi mã và số lượng về [email protected] để nhận báo giá nhanh.

Select first item to compare

Select second item to compare

Select third item to compare

Compare