SI1016CX-T1-GE3 812-3025

VISHAYSI1016CX-T1-GE3Transistor: N/P-MOSFET

Case SC89Drain current 0.49/-0.49ADrain-source voltage 20/-20VGate charge 2/2.5nC

Mã nhà sản xuất

SI1016CX-T1-GE3

Thương hiệu

Mã kho

SI1016CX-T1-GE3

Liên hệ

📩 Liên hệ để có giá tốt: CV@chanhvinh.com

Transistor: N/P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; complementary pair

THÔNG SỐ KỸ THUẬT
Manufacturer	VISHAY
Manufacturer Part No.	SI1016CX-T1-GE3
Type of transistor	N/P-MOSFET
Technology	TrenchFET®
Polarisation	unipolar
Kind of transistor	complementary pair
Drain-source voltage	20/-20V
Drain current	0.49/-0.49A
Pulsed drain current	2A
Power dissipation	0.14W
Case	SC89, SOT563
Gate-source voltage	±8V
On-state resistance	396/756mΩ
Mounting	SMD
Gate charge	2/2.5nC
Kind of package	reel, tape
Kind of channel	enhancement
Version	ESD
Gross weight	0.016 g

Tài liệu: Documentation EN · Product family

Giá: Liên hệ – gửi mã và số lượng về CV@chanhvinh.com để nhận báo giá nhanh.

Select first item to compare

Select second item to compare

Select third item to compare

Compare