Skip to content

VISHAYSI1036X-T1-GE3Transistor: N-MOSFET x2

Case SC89Drain current 0.61ADrain-source voltage 30VGate charge 2nC
Mã nhà sản xuất
SI1036X-T1-GE3
Thương hiệu
Mã kho
SI1036X-T1-GE3
Liên hệ
📩 Liên hệ để có giá tốt: CV@chanhvinh.com

Transistor: N-MOSFET x2; TrenchFET®; unipolar; 30V; 0.61A; Idm: 2A

THÔNG SỐ KỸ THUẬT
Manufacturer VISHAY
Manufacturer Part No. SI1036X-T1-GE3
Type of transistor N-MOSFET x2
Technology TrenchFET®
Polarisation unipolar
Drain-source voltage 30V
Drain current 0.61A
Pulsed drain current 2A
Power dissipation 0.22W
Case SC89, SOT563
Gate-source voltage ±8V
On-state resistance 1.1Ω
Mounting SMD
Gate charge 2nC
Kind of package reel, tape
Kind of channel enhancement
Gross weight 0.019 g

Tài liệu: Documentation EN · Product family

Giá: Liên hệ – gửi mã và số lượng về CV@chanhvinh.com để nhận báo giá nhanh.

Compare products

Select 2 or 3 items to compare

Select first item to compare

Select second item to compare

Select third item to compare

Compare