SI1965DH-T1-E3

VISHAYSI1965DH-T1-E3Transistor: P-MOSFET x2

Case SC70-6Drain current -1.3ADrain-source voltage -12VGate charge 4.2nC

Mã nhà sản xuất

SI1965DH-T1-E3

Thương hiệu

Mã kho

SI1965DH-T1-E3

Liên hệ

📩 Liên hệ để có giá tốt: [email protected]

Transistor: P-MOSFET x2; TrenchFET®; unipolar; -12V; -1.3A; 1.25W

THÔNG SỐ KỸ THUẬT
Manufacturer	VISHAY
Manufacturer Part No.	SI1965DH-T1-E3
Type of transistor	P-MOSFET x2
Technology	TrenchFET®
Polarisation	unipolar
Drain-source voltage	-12V
Drain current	-1.3A
Pulsed drain current	-3A
Power dissipation	1.25W
Case	SC70-6, SOT363
Gate-source voltage	±8V
On-state resistance	710mΩ
Mounting	SMD
Gate charge	4.2nC
Kind of package	reel, tape
Kind of channel	enhancement
Gross weight	0.1 g

Tài liệu: Documentation EN · Product family

Giá: Liên hệ – gửi mã và số lượng về [email protected] để nhận báo giá nhanh.

Select first item to compare

Select second item to compare

Select third item to compare

Compare