Skip to content
About us Liên hệ Thông tin xuất hóa đơn cho Chánh Vinh Số tài khoản Ảnh hàng về
SI1967DH-T1-GE3 812-3108

VISHAYSI1967DH-T1-GE3Transistor: P-MOSFET x2

Channel Mode EnhancementChannel Type PMaximum Continuous Drain Current 1.1AMaximum Power Dissipation 1.25W
Mã nhà sản xuất
SI1967DH-T1-GE3
Thương hiệu
VISHAY
Mã kho
812-3108
Liên hệ
📩 Liên hệ để có giá tốt: CV@chanhvinh.com

Dual P-Channel MOSFET, Vishay Semiconductor MOSFET Transistors, Vishay Semiconductor

Dual P-Channel MOSFET, Vishay Semiconductor

MOSFET Transistors, Vishay Semiconductor

THÔNG SỐ KỸ THUẬT
Manufacturer Vishay
Manufacturer Part No. SI1967DH-T1-GE3
Channel Type P
Maximum Continuous Drain Current 1.1A
Maximum Drain Source Voltage 20V
Package Type SOT-363
Mounting Type Surface Mount
Pin Count 6
Maximum Drain Source Resistance 790mΩ
Channel Mode Enhancement
Minimum Gate Threshold Voltage 0.4V
Maximum Power Dissipation 1.25W
Transistor Configuration Isolated
Maximum Gate Source Voltage -8 V, +8 V
Typical Gate Charge @ Vgs 2.6 nC @ 8 V
Length 2.2mm
Number of Elements per Chip 2
Width 1.35mm
Maximum Operating Temperature +150°C
Transistor Material Si
Minimum Operating Temperature -55°C
Height 1mm

Giá: Liên hệ – gửi mã và số lượng về CV@chanhvinh.com để nhận báo giá nhanh.

Compare products

Select 2 or 3 items to compare

Select first item to compare

Select second item to compare

Select third item to compare

Compare