Skip to content
About us Liên hệ Thông tin xuất hóa đơn cho Chánh Vinh Số tài khoản Ảnh hàng về
SI2301BDS-T1-E3

VISHAYSI2301BDS-T1-E3Transistor: P-MOSFET

Case SOT23Drain current -2.2ADrain-source voltage -20VGate charge 10nC
Mã nhà sản xuất
SI2301BDS-T1-E3
Thương hiệu
VISHAY
Mã kho
SI2301BDS-T1-E3
Liên hệ
📩 Liên hệ để có giá tốt: [email protected]

Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -20V; -2.2A; Idm: -10A

THÔNG SỐ KỸ THUẬT
Manufacturer VISHAY
Manufacturer Part No. SI2301BDS-T1-E3
Type of transistor P-MOSFET
Technology TrenchFET®
Polarisation unipolar
Drain-source voltage -20V
Drain current -2.2A
Pulsed drain current -10A
Power dissipation 0.9W
Case SOT23
Gate-source voltage ±8V
On-state resistance 0.15Ω
Mounting SMD
Gate charge 10nC
Kind of package reel, tape
Kind of channel enhancement
Gross weight 0.1 g

Tài liệu: Documentation EN · Product family

Giá: Liên hệ – gửi mã và số lượng về [email protected] để nhận báo giá nhanh.

Compare products

Select 2 or 3 items to compare

Select first item to compare

Select second item to compare

Select third item to compare

Compare