Skip to content
About us Liên hệ Thông tin xuất hóa đơn cho Chánh Vinh Số tài khoản Ảnh hàng về
SI2304BDS-T1-GE3

VISHAYSI2304BDS-T1-GE3Transistor: N-MOSFET

Case SOT23Drain current 2.6ADrain-source voltage 30VGate charge 4nC
Mã nhà sản xuất
SI2304BDS-T1-GE3
Thương hiệu
VISHAY
Mã kho
SI2304BDS-T1-GE3
Liên hệ
📩 Liên hệ để có giá tốt: CV@chanhvinh.com

Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 2.6A; Idm: 10A; 1.08W; SOT23

THÔNG SỐ KỸ THUẬT
Manufacturer VISHAY
Manufacturer Part No. SI2304BDS-T1-GE3
Type of transistor N-MOSFET
Polarisation unipolar
Drain-source voltage 30V
Drain current 2.6A
Pulsed drain current 10A
Power dissipation 1.08W
Case SOT23
Gate-source voltage ±20V
On-state resistance 0.105Ω
Mounting SMD
Gate charge 4nC
Kind of package reel, tape
Kind of channel enhancement
Gross weight 0.1 g

Tài liệu: Documentation EN · Product family

Giá: Liên hệ – gửi mã và số lượng về CV@chanhvinh.com để nhận báo giá nhanh.

Compare products

Select 2 or 3 items to compare

Select first item to compare

Select second item to compare

Select third item to compare

Compare