Skip to content
About us Liên hệ Thông tin xuất hóa đơn cho Chánh Vinh Số tài khoản Ảnh hàng về
SI2305CDS-T1-GE3 919-0269

VISHAYSI2305CDS-T1-GE3Transistor: P-MOSFET

Channel Mode EnhancementChannel Type PMaximum Continuous Drain Current 4.4AMaximum Power Dissipation 960 mW
Mã nhà sản xuất
SI2305CDS-T1-GE3
Thương hiệu
VISHAY
Mã kho
710-3248
Liên hệ
📩 Liên hệ để có giá tốt: CV@chanhvinh.com

P-Channel MOSFET, 8V to 20V, Vishay Semiconductor MOSFET Transistors, Vishay Semiconductor

P-Channel MOSFET, 8V to 20V, Vishay Semiconductor

MOSFET Transistors, Vishay Semiconductor

THÔNG SỐ KỸ THUẬT
Manufacturer Vishay
Manufacturer Part No. SI2305CDS-T1-GE3
Channel Type P
Maximum Continuous Drain Current 4.4A
Maximum Drain Source Voltage 8V
Package Type SOT-23
Mounting Type Surface Mount
Pin Count 3
Maximum Drain Source Resistance 35mΩ
Channel Mode Enhancement
Minimum Gate Threshold Voltage 0.4V
Maximum Power Dissipation 960 mW
Transistor Configuration Single
Maximum Gate Source Voltage -8 V, +8 V
Maximum Operating Temperature +150°C
Typical Gate Charge @ Vgs 12 nC @ 4.5 V, 20 nC @ 8 V
Width 1.4mm
Transistor Material Si
Number of Elements per Chip 1
Length 3.04mm
Height 1.02mm
Minimum Operating Temperature -55°C

Giá: Liên hệ – gửi mã và số lượng về CV@chanhvinh.com để nhận báo giá nhanh.

Compare products

Select 2 or 3 items to compare

Select first item to compare

Select second item to compare

Select third item to compare

Compare