Skip to content
About us Liên hệ Thông tin xuất hóa đơn cho Chánh Vinh Số tài khoản Ảnh hàng về
SI2306BDS-T1-GE3

VISHAYSI2306BDS-T1-GE3Transistor: N-MOSFET

Case SOT23Drain current 3.5ADrain-source voltage 30VGate charge 4.5nC
Mã nhà sản xuất
SI2306BDS-T1-GE3
Thương hiệu
VISHAY
Mã kho
SI2306BDS-T1-GE3
Liên hệ
📩 Liên hệ để có giá tốt: CV@chanhvinh.com

Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 30V; 3.5A; Idm: 20A

THÔNG SỐ KỸ THUẬT
Manufacturer VISHAY
Manufacturer Part No. SI2306BDS-T1-GE3
Type of transistor N-MOSFET
Technology TrenchFET®
Polarisation unipolar
Drain-source voltage 30V
Drain current 3.5A
Pulsed drain current 20A
Power dissipation 1.25W
Case SOT23
Gate-source voltage ±20V
On-state resistance 65mΩ
Mounting SMD
Gate charge 4.5nC
Kind of package reel, tape
Kind of channel enhancement
Gross weight 0.1 g

Tài liệu: Documentation EN · Product family

Giá: Liên hệ – gửi mã và số lượng về CV@chanhvinh.com để nhận báo giá nhanh.

Compare products

Select 2 or 3 items to compare

Select first item to compare

Select second item to compare

Select third item to compare

Compare