Skip to content
About us Liên hệ Thông tin xuất hóa đơn cho Chánh Vinh Số tài khoản Ảnh hàng về
SI2309CDS-T1-GE3 919-0262

VISHAYSI2309CDS-T1-GE3Transistor: P-MOSFET

Channel Mode EnhancementChannel Type PMaximum Continuous Drain Current 1.2AMaximum Power Dissipation 1W
Mã nhà sản xuất
SI2309CDS-T1-GE3
Thương hiệu
VISHAY
Mã kho
710-3250
Liên hệ
📩 Liên hệ để có giá tốt: CV@chanhvinh.com

P-Channel MOSFET, 30V to 80V, Vishay Semiconductor MOSFET Transistors, Vishay Semiconductor

P-Channel MOSFET, 30V to 80V, Vishay Semiconductor

MOSFET Transistors, Vishay Semiconductor

THÔNG SỐ KỸ THUẬT
Manufacturer Vishay
Manufacturer Part No. SI2309CDS-T1-GE3
Channel Type P
Maximum Continuous Drain Current 1.2A
Maximum Drain Source Voltage 60V
Package Type SOT-23
Mounting Type Surface Mount
Pin Count 3
Maximum Drain Source Resistance 345mΩ
Channel Mode Enhancement
Minimum Gate Threshold Voltage 1V
Maximum Power Dissipation 1W
Transistor Configuration Single
Maximum Gate Source Voltage -20 V, +20 V
Transistor Material Si
Maximum Operating Temperature +150°C
Number of Elements per Chip 1
Typical Gate Charge @ Vgs 2.7 nC @ 4.5 V
Width 1.4mm
Length 3.04mm
Height 1.02mm
Minimum Operating Temperature -55°C

Giá: Liên hệ – gửi mã và số lượng về CV@chanhvinh.com để nhận báo giá nhanh.

Compare products

Select 2 or 3 items to compare

Select first item to compare

Select second item to compare

Select third item to compare

Compare