Skip to content

VISHAYSI2312CDS-T1-GE3Transistor: N-MOSFET

Case SOT23Drain current 5.1ADrain-source voltage 20VGate charge 8.8nC
Mã nhà sản xuất
SI2312CDS-T1-GE3
Thương hiệu
Mã kho
SI2312CDS-T1-GE3
Liên hệ
📩 Liên hệ để có giá tốt: CV@chanhvinh.com

Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 5.1A; 1.3W; SOT23

THÔNG SỐ KỸ THUẬT
Manufacturer VISHAY
Manufacturer Part No. SI2312CDS-T1-GE3
Type of transistor N-MOSFET
Polarisation unipolar
Drain-source voltage 20V
Drain current 5.1A
Power dissipation 1.3W
Case SOT23
Gate-source voltage ±8V
On-state resistance 41.4mΩ
Mounting SMD
Gate charge 8.8nC
Kind of package reel, tape
Kind of channel enhancement
Gross weight 0.031 g

Tài liệu: Documentation EN · Documentation EN · Product family

Giá: Liên hệ – gửi mã và số lượng về CV@chanhvinh.com để nhận báo giá nhanh.

Compare products

Select 2 or 3 items to compare

Select first item to compare

Select second item to compare

Select third item to compare

Compare